Home財經聯電攜手英特爾將開發12奈米製程平台 集邦:可望創造雙贏

聯電攜手英特爾將開發12奈米製程平台 集邦:可望創造雙贏

國內晶圓代工大廠聯電和英特爾25日共同宣布,雙方將合作開發12奈米製程平台,以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長,雙方合作開發的12奈米製程預計在2027年投入生產。對此,市調機構集邦科技認為,這一合作案可望創造雙贏局面。

集邦科技分析,聯電與英特爾合作開發12奈米,主要是由聯電提供多元化技術服務,英特爾提供現成工廠設施,採共同營運模式。這有助於英特爾銜接由整合元件製造(IDM)轉換至晶圓代工的模式,增加製程調度彈性,並獲取晶圓代工營運經驗。

集邦科技強調,聯電不須負擔龐大的資本支出,即可靈活運用鰭式場效電晶體(FinFET)產能,從成熟製程的競爭中另謀生路,同時藉由共同營運英特爾美國廠區,擴大國際產能分布,分散地緣政治風險,這一合作案可望創造雙贏局面。

集邦科技提到,聯電與英特爾選擇英特爾現有的美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠做為合作廠區,僅須設備機台移裝機的廠務二次配管費用,及相關小型附屬設備支出,相較於購置全新機台,合作案投資金額將可省下超過80%。

聯電共同總經理王石表示:「聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作,是本公司追求具成本效益的產能擴張,和技術節點升級策略的重要一環」。集邦科技指出,聯電為主要技術矽智財(IP)提供者,其14奈米尚未大規模量產,12奈米還在研發階段,FinFET架構技術穩定性仍待觀察。

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